سامسونج إلكترونيكس تثبت ريادتها في تكنولوجيا السباكة المتقدمة  مع أحدث الابتكارات في مجال السيليكون ومنصة للنظام الإيكولوجي

سامسونج إلكترونيكس تثبت ريادتها في تكنولوجيا السباكة المتقدمة مع أحدث الابتكارات في مجال السيليكون ومنصة للنظام الإيكولوجي

2019-05-21 Off By haidar housseini

سامسونج إلكترونيكس تثبت ريادتها في تكنولوجيا السباكة المتقدمة

مع أحدث الابتكارات في مجال السيليكون ومنصة للنظام الإيكولوجي

تمكّن عدّةPDK بتقنيّة 3GAE الجديدة عمل التصميم المبكر للعملاء من تعزيز القدرة التنافسية للتصميم

يوفّر برنامج SAFE ™ -Cloud بيئة موثوق بها للتصميم الجاهز لتسريع سير العمل في التصميم للشركات في قطاع fabless ولمكاتب التصميم

سانتا كلارا، كاليفورنيا – 21 أيار/مايو 2019 – أعلنت اليوم شركةSamsung Electronics Co.، Ltd. ، وهي شركة رائدة عالمياً في مجال تكنولوجيا أشباه الموصلات المتقدمة، عن التزامها المستمر بالابتكار والخدمة في مجال السباكة، وذلك في منتدى سامسونج لحلول السباكة 2019 في الولايات المتحدة Samsung Foundry Forum 2019 USA، مما يوفر لقطاع السيليكون مجموعة واسعة من التحديثات في مجال التطورات التكنولوجية التي تدعم التطبيقات المحفوفة بالتحديات في عالم اليوم والغد.

ضمّ هذا الحدث الذي عقد اليوم في سانتا كلارا، كاليفورنيا، كبار المدراء التنفيذيين في شركة سامسونج وأهمّ خبراء الصناعة الذين يستعرضون التقدم المحرز في تكنولوجيا أشباه الموصلات والحلول في مجال السباكة والتي تتيح التطورات في مجالات الذكاء الاصطناعي(AI) ، والتعلم الآلي، وشبكات ال 5G، والسيارات، وإنترنت الأشياء(IoT) ، ومراكز البيانات المتقدمة والعديد من المجالات الأخرى.

وقال الدكتور أس يونغ ES Jung، رئيس ومدير وحدة مجال السباكة Foundry Business في Samsung Electronics:” إننا نقف على عتبة الثورة الصناعية الرابعة، وهي حقبة جديدة من الحوسبة والاتصال ذوي الأداء العالي، من شأنها تعزيز الحياة اليومية لجميع الأشخاص على هذا الكوكب”.

كما أضاف دكتور يونغ أن ” شركة Samsung Electronics تدرك تمامًا أن التوصّل إلى الحلول الفعّالة والموثوق بها في قطاع السيليكون لا يتطلب عمليات التصنيع والتعبئة والتغليف كما حلول التصميم الأكثر تقدمًا فحسب، ولكن أيضًا علاقات تعاونية مع العملاء في مجال السباكة تستند إلى الثقة والرؤية المشتركة. إنّ “منتدى حلول السباكة” هذا العام مليء بأدلة دامغة على التزامنا بالتقدم في جميع تلك المجالات، ويشرفنا أن نستضيف ونتحدث مع أفضل وألمع الشخصيات في صناعتنا”.

تشمل النقاط الرئيسية في المنتدى لحلول السباكة المعقود في الولايات المتحدة ما يلي:

إنّ الإصدار الجديد 0.1 لعدّة تصميم العمليات 3nm GAE PDK أصبح جاهزاً

إنّ تطوير عملية الGAA (Gate-All-Around) بدقّة 3 نانومتر (3nm) أي تقنيّة 3GAE من سامسونج جار. وقد لاحظت الشركة اليوم أن الإصدار 0.1 من عدّة تصميم العمليات Process Design Kit (PDK) لتقنيّة GAE3 الخاصة بها قد تم إطلاقه في نيسان/أبريل لمساعدة العملاء على الحصول على بداية مبكرة في أعمال التصميم وتمكينهم من تحسين القدرة التنافسية للتصميم إلى جانب تقليل الوقت اللازم للعمليّة (TAT).

مقارنةً بتكنولوجيا 7nm، تم تصميم عملية 3GAE من سامسونج لتقليل من مساحة الشريحة بنسبة تصل إلى 45 بالمئة مع خفض استهلاك الطاقة بنسبة 50 بالمئة أو زيادة الأداء بنسبة 35 بالمئة. ومن المتوقع اعتماد عملية التصنيع المستندة إلى تقنيّة GAA على نطاق واسع في تطبيقات الجيل التالي، لا سيّما الهواتف المحمولة والشبكات والسيارات والذكاء الاصطناعي (AI)وإنترنت الأشياء.

تتطلب تقنيّة GAA التقليدية القائمة على أسلاك متناهية الصغر عددًا أكبر من الطبقات نظرًا لصغر عرض القناة الفعالة. من ناحية أخرى، يستخدم إصدار تقنيّة GAA لشركة سامسونج الحاصل على براءة اختراع تحت اسم MBCFET ™ (Multi-Bridge-Channel FET)، هيكليّة صفائح نانوية، مما يتيح مرور كميّة أكبر من التيار في كلّ طبقة.

فيما يجب على هياكل تقنيّة FinFET تعديل عدد الزعانف بطريقة حذرة، توفّر تقنيّة MBCFET ™ مرونة أكبر في التصميم من خلال التحكم بعرض الصفائح النانوية. بالإضافة إلى ذلك، إنّ توافق تقنيّة MBCFET ™ مع عمليات تقنيّة FinFET يعني أن بإمكانهما تشارك تقنية ومعدات التصنيع نفسها، مما يسرّع تطوير العمليات وزيادة الإنتاج.

مسطّحFET FinFET GAAFET MBCFET

(أسلاك متناهية الصغر) (صفائح نانوية)

أنهت شركة Samsung مؤخرًا تصميم سيارة الاختبار بتقنيّة 3GAE وستركز في المستقبل على تحسين أدائه وكفاءة الطاقة العائدة له.